IXSH35N100A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXSH35N100A图片1

IXSH35N100A图片2

IXSH35N100A图片3

IXSH35N100A图片4

IXSH35N100A图片5

IXSH35N100A图片6

IXSH35N100A图片7

IXSH35N100A概述

IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

IGBT 1000V 70A 300W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

Win Source:
IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

IXSH35N100A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 70.0 A

上升时间 150 ns

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH35N100A

型号： IXSH35N100A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

替代型号IXSH35N100A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXSH35N100A IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IRG4PH50UDPBF 英飞凌	功能相似	IXSH35N100A和IRG4PH50UDPBF的区别
HGTG20N60A4D 安森美	功能相似	IXSH35N100A和HGTG20N60A4D的区别
HGT1S10N120BNST 安森美	功能相似	IXSH35N100A和HGT1S10N120BNST的区别