IXGH25N100AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGH25N100AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin

IGBT - 1000 V 50 A 200 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 1000V 50A

Win Source:
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

IXGH25N100AU1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH25N100AU1

型号： IXGH25N100AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin