IPD50P04P4-13

INFINEON  IPD50P04P4-13  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

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IPD50P04P4-13

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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

贸泽:
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2

e络盟:
# INFINEON  IPD50P04P4-13  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

儒卓力:
**MOSFET -40V 12.6mOHM AECQ TO252 **