IPB65R095C7ATMA1

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IPB65R095C7ATMA1概述

N-CH 650V 24A

Summary of Features:

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650V voltage
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Revolutionary best-in-class R DSon/package
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Reduced energy stored in output capacitance Eoss
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Lower gate charge Qg
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Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
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12 years manufacturing experience in superjunction technology

Benefits:

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Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
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Lowest conduction losses/package
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Low switching losses
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Better light load efficiency
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Increasing power density
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Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

 

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Telecom
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Server
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Solar
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PC power
IPB65R095C7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 128 W

通道数 1

漏源极电阻 84 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 128 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2140pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 128W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPB65R095C7ATMA1
型号: IPB65R095C7ATMA1
描述:N-CH 650V 24A

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