N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB52N15DPBF
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDSON 32Milliohms; ID 51A; TO-220AB; PD 230W; -55deg
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 150 V
额定电流 51.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 32 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
产品系列 IRFB52N15D
阈值电压 5 V
输入电容 2770pF @25V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 47.0 ns
热阻 0.47℃/W RθJC
输入电容Ciss 2770pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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