IDD06SG60CXTMA1

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IDD06SG60CXTMA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Diode Silicon Carbide Schottky 600V Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES


艾睿:
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin2+Tab TO-252


富昌:
IDD06SG60C 系列 600V 6 A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3


IDD06SG60CXTMA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2.3V @6A

反向恢复时间 0 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDD06SG60CXTMA1
型号: IDD06SG60CXTMA1
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IDD06SG60CXTMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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完全替代

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