IRF840参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF840概述

N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

N-Channel 500 V 8A Tc 125W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-220

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin 3+Tab TO-220

IRF840中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 850 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 832pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： IRF840

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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替代型号IRF840

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IRF840 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
IRF840PBF 威世	功能相似	IRF840和IRF840PBF的区别

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