IXTV30N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTV30N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220

通孔 N 通道 600 V 30A（Tc） 540W（Tc） PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

贸泽:
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXTV30N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 30.0 A

通道数 1

漏源极电阻 240 mΩ

耗散功率 540 W

输入电容 5.05 nF

栅电荷 82.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 5050pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 4.7 mm

高度 15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTV30N60P

型号： IXTV30N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXTV30N60P