IPB048N06LGATMA1

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IPB048N06LGATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 100A

表面贴装型 N 通道 100A(Tc) 300W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263


IPB048N06LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 7600pF @30VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB048N06LGATMA1
型号: IPB048N06LGATMA1
描述:D2PAK N-CH 60V 100A
替代型号IPB048N06LGATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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