静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
### SRAM(静态随机存取存储器)
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
立创商城:
IS61C6416AL 12KLI
艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ
安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ
TME:
Memory; SRAM; 64kx16bit; 5V; 12ns; SOJ44; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ
DeviceMart:
IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
位数 16
存取时间 12 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 12 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 BSOJ-44
长度 28.7 mm
宽度 10.29 mm
高度 3.11 mm
封装 BSOJ-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99