IKW25N120H3

INFINEON  IKW25N120H3  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

立创商城:
IKW25N120H3

得捷:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 326W; TO247-3; Series: H3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

DeviceMart:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3