IS43DR16640B-3DBL

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IS43DR16640B-3DBL概述

动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 333 MHz 450 ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16640B-3DBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 220 mA

时钟频率 333 MHz

位数 16

存取时间 3 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16640B-3DBL
型号: IS43DR16640B-3DBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
替代型号IS43DR16640B-3DBL
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IS43DR16640B-3DBL

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