IS43TR82560B-125KBLI

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IS43TR82560B-125KBLI概述

2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA 8mm x10.5mm RoHS

SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 800 MHz 20 ns 78-TWBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA


贸泽:
DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA 8mm x10.5mm RoHS


艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.5V 78-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78-Pin TW-BGA


IS43TR82560B-125KBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 160 mA

位数 8

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 78

封装 BGA-78

外形尺寸

封装 BGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS43TR82560B-125KBLI引脚图与封装图
IS43TR82560B-125KBLI引脚图
IS43TR82560B-125KBLI封装图
IS43TR82560B-125KBLI封装焊盘图
在线购买IS43TR82560B-125KBLI
型号: IS43TR82560B-125KBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA 8mm x10.5mm RoHS
替代型号IS43TR82560B-125KBLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Integrated Silicon SolutionISSI

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完全替代

IS43TR82560B-125KBLI和IS43TR82560B-125KBLI-TR的区别

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