IS66WVC2M16EALL-7010BLI

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IS66WVC2M16EALL-7010BLI概述

静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA 6x8 mm, RoHS

PSRAM Pseudo SRAM Memory IC 32Mb 2M x 16 Parallel 70ns 54-VFBGA 6x8


得捷:
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA 6x8 mm, RoHS


艾睿:
PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA


安富利:
PSRAM Sync 32Mbit 2M X 16 70ns 54-Pin VFBGA Tray


Verical:
PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA


IS66WVC2M16EALL-7010BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS66WVC2M16EALL-7010BLI
型号: IS66WVC2M16EALL-7010BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA 6x8 mm, RoHS

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