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IRF630NS概述

D2PAK N-CH 200V 9.3A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Industry-leading quality

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Fully Avalanche Rated

.: 175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

IRF630NS中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 9.30 A

漏源极电阻 300 mΩ max

极性 N-Channel

耗散功率 82W Tc

产品系列 IRF630NS

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200V min

连续漏极电流Ids 9.30 A

上升时间 14.0 ns

输入电容Ciss 575pF @25VVds

耗散功率Max 82W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF630NS

型号： IRF630NS

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 200V 9.3A

替代型号IRF630NS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF630NS Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF630NSTRLPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NS和IRF630NSTRLPBF的区别
IRF630NSPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NS和IRF630NSPBF的区别
IRF630NSTRRPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NS和IRF630NSTRRPBF的区别