极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 1300pF @15VVds
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2100 mW
引脚数 7
封装 Direct-FET
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
IRF6617
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF6617TRPBF
英飞凌
功能相似
IRF6617PBF