IRF6617

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IRF6617中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 1300pF @15VVds

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF6617
型号: IRF6617
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Direct-FET N-CH 30V 14A
替代型号IRF6617
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