IRF9952参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF9952概述

SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A

Benefits:

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC

IRF9952中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A

上升时间 8.8 ns

输入电容Ciss 190pF @15VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 6.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF9952

描述：SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A

替代型号IRF9952