IDD05SG60C

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IDD05SG60C概述

INFINEON  IDD05SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 双共阴极, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-252

XTMA1, SP000786806


立创商城:
600V 5A 2.1V@5A


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 双共阴极, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-252


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 5A 3-Pin2+Tab TO-252


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 5A; 56W; PG-TO252-3


Newark:
# INFINEON  IDD05SG60C  Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-252


AMEYA360:
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3


Win Source:
IDD05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIO / Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A DC Surface Mount PG-TO252-3


IDD05SG60C中文资料参数规格
技术参数

额定功率 56 W

负载电流 5 A

反向恢复时间 0 ns

正向电流 5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 26 A

正向电压Max 2.3V @5A

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IDD05SG60C
型号: IDD05SG60C
描述:INFINEON  IDD05SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 双共阴极, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-252
替代型号IDD05SG60C
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Infineon 英飞凌

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IDD05SG60CXTMA1

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