IPP50CN10N G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 100 A
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 44 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.09 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1090pF @50VVds
额定功率Max 44 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 44000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPP50CN10N G
型号： IPP50CN10N G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPP50CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 100V, 38mohm, 10V, 3V
替代型号IPP50CN10N G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP50CN10N G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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