IXGH20N120A3概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXGH20N120A3 单晶体管, IGBT, SIC, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
The is a PT IGBT for use with up to 3kHz switching applications, battery chargers and inrush current protection circuits. It is optimized for low conduction losses.
- .
- Ultra-low saturation voltage
- .
- High power density
- .
- Low gate drive requirement
IXGH20N120A3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 180 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 180 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 照明, 电源管理, Power Management, Maintenance & Repair, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 维护与修理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IXGH20N120A3
型号： IXGH20N120A3
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXGH20N120A3 单晶体管, IGBT, SIC, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚