IPD034N06N3 G概述
INFINEON IPD034N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
IPD034N06N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 161 ns
输入电容Ciss 11000pF @30VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPD034N06N3 G
型号： IPD034N06N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPD034N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3 V