IXFR140N30P

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IXFR140N30P概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR140N30P  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V

通孔 N 通道 70A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247


欧时:
MOSFET 140A 300V ISOPLUS247


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 0.026 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 82A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 82A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR140N30P  MOSFET Transistor, N Channel, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V


IXFR140N30P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 82.0 A

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 14800pF @25VVds

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFR140N30P
型号: IXFR140N30P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR140N30P  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V

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