IPP080N03L G概述
MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO220-3; Transistor Polarity: N; Current Id Max: 50A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Re...
通孔 N 通道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP080N03L G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 47 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 1900pF @15VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPP080N03L G
型号： IPP080N03L G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO220-3; Transistor Polarity: N; Current Id Max: 50A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Re...