Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin3+Tab TO-220
N-Channel 600V 10A Tc 200W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
贸泽:
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
漏源极电阻 740 mΩ
耗散功率 200 W
阈值电压 5 V
输入电容 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 1610pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.41 mm
宽度 4.83 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP10N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFP10N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTP10N60P和IXFP10N60P的区别 |
IXFA10N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP10N60P和IXFA10N60P的区别 |
IXTA10N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP10N60P和IXTA10N60P的区别 |