IXTP10N60PM参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXTP10N60PM概述

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3Pin3+Tab TO-220

N-Channel 600V 5A Tc 50W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220

IXTP10N60PM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 50W Tc

输入电容 1.61 nF

栅电荷 32.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电容Ciss 1610pF @25VVds

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP10N60PM

型号： IXTP10N60PM

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3Pin3+Tab TO-220