t电源,晶体管 T Power-Transistor
Summary of Features:
Benefits:
通道数 1
漏源极电阻 1.05 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 17600pF @25VVds
额定功率Max 188 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB180N03S4L-01 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB180N03S4L-H0 英飞凌 | 类似代替 | IPB180N03S4L-01和IPB180N03S4L-H0的区别 |
IPB065N15N3G 英飞凌 | 功能相似 | IPB180N03S4L-01和IPB065N15N3G的区别 |