IPB180N03S4L-01

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IPB180N03S4L-01概述

t电源,晶体管 T Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package RoHS compliant
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Ultra low Rdson
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 40V on
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB180N03S4L-01中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.05 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 188 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 17600pF @25VVds

额定功率Max 188 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB180N03S4L-01
型号: IPB180N03S4L-01
描述:t电源,晶体管 T Power-Transistor
替代型号IPB180N03S4L-01
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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