













N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin2+Tab D2PAK
富昌:
单 N沟道 150 V 3.8 W 60 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
儒卓力:
**N-CH 150V 60A 32mOhm TO263 **
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
额定功率 320 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
阈值电压 5 V
输入电容 2770 pF
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 51A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 2770pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management, Consumer Electronics, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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