IXTF02N450概述
ISOPLUS N-CH 4500V 0.2A
通孔 N 通道 4500 V 200mA（Tc） 78W（Tc） ISOPLUS i4-PAC™
得捷:
MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
贸泽:
MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK
IXTF02N450中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 750 Ω
极性 N-CH
耗散功率 78 W
阈值电压 4V ~ 6.5V
漏源极电压Vds 4500 V
漏源击穿电压 4500 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 256pF @25VVds
下降时间 143 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 78W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
外形尺寸
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTF02N450引脚图与封装图 
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