IPI200N25N3GAKSA1概述
N沟道 250V 64A
通孔 N 通道 250 V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
立创商城:
N沟道 250V 64A
得捷:
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-262
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3
IPI200N25N3GAKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 300 W
极性 N-CH
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 64A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 5340pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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