IPP60R750E6

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IPP60R750E6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 373pF @100VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 12 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP60R750E6
型号: IPP60R750E6
制造商: Infineon 英飞凌
描述:600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor

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