IXBK75N170A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBK75N170A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3Pin3+Tab TO-264

IGBT - 1700 V 110 A 1040 W 通孔 TO-264

得捷:
IGBT 1700V 110A 1040W TO264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3-Pin3+Tab TO-264

IXBK75N170A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 360 ns

额定功率Max 1040 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBK75N170A

型号： IXBK75N170A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3Pin3+Tab TO-264