IXFX60N55Q2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX60N55Q2概述

Trans MOSFET N-CH 550V 60A 3Pin3+Tab PLUS 247

N-Channel 550V 60A Tc 735W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 60A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX60N55Q2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 735W Tc

漏源极电压Vds 550 V

输入电容Ciss 6900pF @25VVds

耗散功率Max 735W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX60N55Q2

型号： IXFX60N55Q2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 550V 60A 3Pin3+Tab PLUS 247