IXBT16N170A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBT16N170A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT - 1700 V 16 A 150 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 1700V 16A 150W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin2+Tab TO-268

DeviceMart:
IGBT 1700V 16A 150W TO268

IXBT16N170A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.70 kV

额定电流 16.0 A

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 360 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXBT16N170A

型号： IXBT16N170A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3Pin2+Tab TO-268