Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247
IGBT PT 900V 64A 300W Through Hole TO-247AD IXGH
得捷: IGBT 900V 64A 300W TO247
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 3-Pin3+Tab TO-247
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册