IPI90R1K0C3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPI90R1K0C3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 89.0 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 850pF @100VVds

额定功率Max 89 W

下降时间 35 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI90R1K0C3

型号： IPI90R1K0C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的CoolMOS ™功率晶体管 CoolMOS? Power Transistor

替代型号IPI90R1K0C3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPI90R1K0C3 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPP90R1K0C3 英飞凌	完全替代	IPI90R1K0C3和IPP90R1K0C3的区别
IPI90R1K2C3 英飞凌	类似代替	IPI90R1K0C3和IPI90R1K2C3的区别
IPP90R1K2C3 英飞凌	功能相似	IPI90R1K0C3和IPP90R1K2C3的区别