IPP110N20N3G

IPP110N20N3G图片1
IPP110N20N3G图片2
IPP110N20N3G图片3
IPP110N20N3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 200 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPP110N20N3G
型号: IPP110N20N3G
描述:OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM
替代型号IPP110N20N3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP110N20N3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPP110N20NA

英飞凌

完全替代

IPP110N20N3G和IPP110N20NA的区别

IPI110N20N3G

英飞凌

功能相似

IPP110N20N3G和IPI110N20N3G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司