IXGT60N60C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGT60N60C3D1概述

Igbt 600V 75A 380W To268

IGBT PT 600 V 75 A 380 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 600V 75A 380W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT60N60C3D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 380 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT60N60C3D1

型号： IXGT60N60C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V 75A 380W To268