IPS65R600E6AKMA1

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IPS65R600E6AKMA1概述

N-CH 650V 7.3A

通孔 N 通道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin IPAKSL Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3 / N-Channel 650 V 7.3A Tc 63W Tc Through Hole PG-TO251-3-11


IPS65R600E6AKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

极性 N-CH

耗散功率 63W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IPS65R600E6AKMA1
描述:N-CH 650V 7.3A

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