IPB65R380C6参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB65R380C6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 12 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB65R380C6

型号： IPB65R380C6

制造商： Infineon 英飞凌

描述：650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET

替代型号IPB65R380C6

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB65R380C6 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
AOD11S60 万代半导体	功能相似	IPB65R380C6和AOD11S60的区别
AOB11S60L 万代半导体	功能相似	IPB65R380C6和AOB11S60L的区别
NDD60N360U1-1G 安森美	功能相似	IPB65R380C6和NDD60N360U1-1G的区别