IPD60R1K5CE

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IPD60R1K5CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 200pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 49000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买IPD60R1K5CE
型号: IPD60R1K5CE
描述:600V,1500mΩ,5A,N沟道功率MOSFET

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