IXFA10N60P-TRL中文资料参数规格 技术参数
耗散功率 200 W
阈值电压 5.5 V
上升时间 27 ns
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFA10N60P-TRL 型号： IXFA10N60P-TRL
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：MOSFET 600V 10A
