IPD60R2K0C6ATMA1

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IPD60R2K0C6ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD60R2K0C6ATMA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin TO-252 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V TO252


IPD60R2K0C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.8 Ω

耗散功率 22.3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 140pF @100VVds

额定功率Max 22.3 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 22.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD60R2K0C6ATMA1
型号: IPD60R2K0C6ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPD60R2K0C6ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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IPD60R2K0C6ATMA1和IPD60R2K0C6BTMA1的区别

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