JANTXV2N6768

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JANTXV2N6768概述

Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin2+Tab TO-3

The HEXFET® technology is the key to ’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

JANTXV2N6768中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 W

产品系列 IRF350

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

高度 7.74 mm

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTXV2N6768
型号: JANTXV2N6768
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin2+Tab TO-3
替代型号JANTXV2N6768
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N6768

International Rectifier 国际整流器

当前型号

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JANTX2N6768

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