JANTX2N3739

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JANTX2N3739概述

TO-66 NPN 300V 1A

Design various electronic circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 20000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N3739中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 25 @250mA, 10V

额定功率Max 20 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTX2N3739
型号: JANTX2N3739
描述:TO-66 NPN 300V 1A
替代型号JANTX2N3739
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N3739

Microsemi 美高森美

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2N3738

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完全替代

JANTX2N3739和2N3738的区别

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JANTX2N3739和2N3739的区别

JAN2N3739

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JANTX2N3739和JAN2N3739的区别

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