JAN2N5416S

JAN2N5416S图片1
JAN2N5416S概述

2N5416S 系列 300 V 1 A PNP 低功耗 硅 晶体管 - TO-39-3

This family of 2N5415S and 2N5416S epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in the longer leaded TO-5 and low profile U4 and UA packaging.


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag


JAN2N5416S中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N5416S
型号: JAN2N5416S
描述:2N5416S 系列 300 V 1 A PNP 低功耗 硅 晶体管 - TO-39-3
替代型号JAN2N5416S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N5416S

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N5416S

美高森美

完全替代

JAN2N5416S和JANTX2N5416S的区别

JAN2N5416

美高森美

完全替代

JAN2N5416S和JAN2N5416的区别

JANTX2N5416

美高森美

完全替代

JAN2N5416S和JANTX2N5416的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台