JAN2N6788参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6788概述

TO-39 N-CH 100V 6A

"These 2N6788 and 2N6790 devices are military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications."

得捷:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39

贸泽:
MOSFET N Channel MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

JAN2N6788中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 0.8 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 6A

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 800mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205-3

外形尺寸

封装 TO-205-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N6788

型号： JAN2N6788

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-39 N-CH 100V 6A

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