Trans GP BJT NPN 50V 1A 3Pin TO-92 Ammo
Bipolar BJT Transistor NPN 50 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 50V 1A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 50.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.75 W
增益频宽积 160 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 135 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSD1616YTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSD1616AYTA 飞兆/仙童 | 功能相似 | KSD1616YTA和KSD1616AYTA的区别 |