KSP75TA

KSP75TA图片1
KSP75TA图片2
KSP75TA图片3
KSP75TA图片4
KSP75TA中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP75TA
型号: KSP75TA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台