KSD363YTU概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar BJT Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3
得捷:
TRANS NPN 120V 6A TO220-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
富昌:
KSD363 Series 120 V 6 A 40 W NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
KSD363YTU中文资料参数规格
技术参数
频率 10 MHz
额定电压DC 120 V
额定电流 6.00 A
极性 NPN
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 5V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSD363YTU