频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 1.67 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V
额定功率Max 1.67 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1670 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE45H11TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
D45VH10G 安森美 | 功能相似 | KSE45H11TU和D45VH10G的区别 |
D45H11 意法半导体 | 功能相似 | KSE45H11TU和D45H11的区别 |
TIP32BG 安森美 | 功能相似 | KSE45H11TU和TIP32BG的区别 |